c14时序设置，时序怎么调在哪啊

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本文目录一览

• 1，时序怎么调在哪啊
• 2，窄条金士顿ddr3 1600 4g时序怎么调 双通道
• 3，金士顿KHX1600C9D34G时序如何设置还有超频
• 4，8700K M10F 3200C14幻光戟内存 如何超频内存
• 5，电脑内存条c14和c16的区别

1，时序怎么调在哪啊

右击，修改，看他让你找第几行

你好！我百度HI你，具体说仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

2，窄条金士顿ddr3 1600 4g时序怎么调 双通道

双通道内存是不用调的，放在相应颜色插槽就是，主板要支持，有的要进bios打开才行。另外CPU超外频，内存显卡都会出错的，你只有超内频。

内存时序时无法调整的，只能调频率，调频率就要内存加电压，但很不调，如果是1600，想调整成1866根本不可能，再就是CPU超频与内存没关系，

3，金士顿KHX1600C9D34G时序如何设置还有超频

1，H77一般是不支持超频的。
2，看你的cpu-z为什么是显示内存频率800呢？这不就是1600吗？3，根据网上对金士顿的KHX1600C9D3的描述，“本产品从内存颗粒选择到制造工艺均按照1600内存标准打造，是可靠的1600MHz内存。为了确保系统兼容性，在出厂时在SPD中将其默认频率设置在1333MHz。即使您的系统不支持1600MHz内存，也可以在1333MHz频率上正常运行。如果确认您的系统支持1600MHz内存，则可以通过手动调试来实现1600MHz的标准频率，有效提升系统性能。”貌似是利用内存的xmp可以超频到1600并稳定工作，具体方法可以自己查一下。
4，不建议自己调节内存时序，实际上调节那十几项参数的效果并没有想象中的好，内存双通道和1T的效率要比调节内存时序高的多。稳定还是最重要的，因为不稳定的情况下高频的内存性能会比低频下更低，这个我深有体会。

在amd平台，金士顿hyperx ddr3 1600 4g(khx1600c9d3/4g)内存必须到主板bios里面设置1600才可以，如果你设置后，开机还是1333，那么这条内存工作电压是1.65v，可能是供电不足，你需要将内存电压调整到1.65v左右。

4，8700K M10F 3200C14幻光戟内存 如何超频内存

上面那个回答跟没回答一样，一点操作步骤都没有。我先介绍一下基本概念。不同的内存使用颗粒不一定一样，有的超频空间很大，有的质量差，超频空间极小，甚至出厂就没有任何超频空间，超频最好的是三星B-die颗粒，而B-die中也分好坏，2019年的B-die网友评价不是很高。还要介绍一下，超成什么样子算是稳定成功。稳定的标志是频率达到你需要的水平，同时内存时序需要符合这个频率下的正常水平（时序决定延迟，时序越低延迟越低，但时序越低对内存体质要求越高，高级货才能调到低时序），电压也符合这个频率下的平均水平（电压越高，温度会越高，这样内存越不容易高效稳定运行，所以我们追求低电压运转。但是电压越低，对内存体质要求越高，体质差的内存在低电压下是不能稳定运行的，会大几率蓝屏甚至无法开机，所以不能过度追求低电压。形象的例子是，一个运动员跑步，吃饭吃得太多，会让他体重过大，跑起来很缓慢很迟钝，但吃得太少他会直接饿的没力气走不动道），而且能够长期稳定运行，绝不蓝屏。比如你的3200c14，就是说官方承诺3200频率时，时序可以达到c14，而且稳定运行。再说一下手动超内存的大致方法，要超内存，最少要懂得最基本的bios操作，我就默认读者们都掌握这些基本操作了。如果读者真的不会，那建议不要超频，搞出问题会更困扰你：超内存，最基础的就是在BIOS里面调高内存频率，调节cpu的va io电压，调节内存电压，调节内存时序，调节一些细微参数，反复测试使之达到完美平衡。一般我们超内存时都是先预设一个经验值，如果你没有经验，可以在查看大神们给的同类内存的超频参数（注意，内存超频受cpu和主板影响，不一定能照抄人家的设置，可能要微调，比如9900k超出来的极限参数，用9700k就无法实现），或者可以在主板xmp默认参数下微调。然后一点点微调测试，比如你调完参数，能开机，然后memorytest软件或者玩个游戏测试一下，如果不能稳定，老出错或者蓝屏，就加一点点加电压或者调高时序，直到能稳定运行。如果按预设参数一开始就能稳定运行，那么你可以试试降低电压，调低时序，然后再测试。
一直降到电脑不能稳定运行，那么再回到上一次的参数，这样就找到了完美的参数设置。总结一下步骤1. 预设内存超频经验值（内存电压，va io电压，时序，防掉压等级），比如内存电压，常识是3000左右均值是1.35v，4000以上至少得1.4v以上；2. 开机测试；3. 如果不稳定，那么调高内存时序（时序最多最多调2-4，过分调高时序去将就频率会得不偿失，性能并不提高），调高内存电压，调高cpu的io sa电压，每次微微调高一些，直到能正常稳定运行；4. 如果一开始就稳定运行，那么每次稍微降低内存时序（一般来说时序最多也就降2-4，更大的降幅很难实现，更大的降幅需要只在论坛贴吧传说中偶尔出现的极品体质颗粒），内存电压，直到无法稳定运行，回到上次的稳定参数。
5. 达到步骤4和5里面的水平，就算是超频成功了。
6. 这里面最难的是经验，没经验的人千万不敢乱来，万一加压加多了，是要烧内存条的，我认识的一个电脑小哥，给人超内存，烧了赔了人家小一千，从此他给人装机只设置xmp自动超频，绝不手动超频，所以我只能自己学超频啦。

内存条也要看颗粒体质 你C14的条子选择的非常好开机进BIOS 内存频率直接输入3600即可 时序电压设置自动调节有的板子BIOS比较难用 比如技嘉~~~对小白不友好C14的条子OC到3866 一般就可以了板子好一些 条子颗粒优秀 可以OC到4266其实3600就足够了 再高效果也不大的

你超什么翻车了呢，内存，cpu？我也有c6h和1800x 1. 内存，这个主板，你看一下附件的内存兼容列表，他就没有3000频可以运行的内存，我自己测试芝奇的幻光戟3200c14是可以两根运行在3200c14的，四根2666c14，而海盗船白金统治者3000c15只能2666运行，我还试了另外一个牌子3000的内存，也是2666； 2. cpu，1800x并不能超多少的，xfr频率接近4.1，你自己超频差不多最多也就是4.1；

5，电脑内存条c14和c16的区别

1、时序不同也就是响应时间不同，单位为时钟周期。
2、性能不同其他条件相同的情况下，数字越小性能越好。
3、价格不同其他条件相同的情况下，数字越小价格越高。
4、颗粒不同内存中使用的颗粒不同，数字越小颗粒越好，超频的潜力越高。扩展资料内存时序包含描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，它们的单位为时钟周期。它们通常被四个用破折号分隔开的数字表示，例如16-16-16-36。CAS延迟(CL)：发送一个列地址到内存与数据开始响应之间的周期数。这是从已经打开正确行的DRAM读取第一比特内存所需的周期数。与其他数字不同，这不是最大值，而是内存控制器和内存之间必须达成的确切数字。RAS到CAS(TRCD)：打开一行内存并访问其中的列所需的最小时钟周期数。从DRAM的非活动行读取第一位内存的时间是TRCD+ CL。RAS预充电(TRP)：发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。从一个非正确打开行的DRAM读取内存第一比特的时间是TRP+ TRCD+ CL。周期时间(TRAS)：行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这是内部刷新行所需的时间，并与TRCD重叠。在SDRAM模块中，它只是TRCD+ CL。否则，约等于TRCD+ 2×CL。参考资料：百度百科-内存时序

1、时序不同内存条c14和内存条c16，他们分别代表各自的时序。
2、价格不同c16比c14便宜，性能没有c14好。扩展资料内存条的作用内存是电脑（PC机、单片机）必不可少的组成部分。与可有可无的外存不同，内存是以总线方式进行读写操作的部件；内存决非仅仅是起数据仓库的作用。除少量操作系统中必不可少的程序长驻内存外，我们平常使用的程序，如Windows、Linux等系统软件，包括打字软件、游戏软件等在内的应用软件，虽然把包括程序代码在内的大量数据都放在磁带、磁盘、光盘、移动盘等外存设备上，但外存中任何数据只有调入内存中才能真正使用。电脑上任何一种输入（来自外存、键盘、鼠标、麦克风、扫描仪，等等）和任何一种输出（显示、打印、音像、写入外存，等等）无一不是通过内存才可以进行。内存的分类DDR内存条内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种；后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows，ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。根据内存条上的引脚多少，我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。
30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM，(SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，)168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。
30线内存条已经没有了；前两年的流行品种是72线的内存条，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；市场的主流品种是168线内存条，168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了，不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。EDO和SDRAM前面我们已经按引脚数的多少把内存条分为30、72和168线等几种，其实，它们在结构和性能上还有着本质的区别。譬如，72线内存条是一种EDO内存，而现今主流的168线内存条几乎清一色又都是SDRAM内存；EDO内存的存取速度基本保持在60纳秒左右，能够适应75兆赫兹的外频，但跑83兆赫兹则有点勉为其难了；而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右，能够适应100兆赫兹以上的外频。所以从97年底起EDO内存已逐步被SDRAM所取代，至今，几乎已无人再用EDO来装机了，只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它。其实，EDO内存被SDRAM所取代有其必然性，因为，市场上主流CPU的主频已高达2G赫兹，未来CPU的主频还会越来越高。但由于传统内存条的读写速度远远跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待指令周期，从而大大降低了电脑的整体性能。为了缓解这个内存瓶颈的问题，我们就必须采用新的内存结构，即SDRAM。因为，从理论上说，SDRAM与CPU频率同步，共享一个时钟周期。SDRAM内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据，通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存储速度已高达5纳秒，所以，SDRAM已成为内存发展的主流。

C14 C16指的是时序，时序越低越好实际使用真感觉不到什么区别

如果做普通用途的话，两者差别不大，c9和c11的时序不一样，两个都能超频，但是要在bios里面设置，自动超频是要主板自带功能支持的，复仇者的总体屏风要比普通版高一点，主要体现在高速处理方面

电脑内存条c14和c16的区别：
1、价格不同其他条件相同的情况下，数字越小价格越高。
2、颗粒不同内存中使用的颗粒不同，数字越小颗粒越好，超频的潜力越高。
3、性能不同其他条件相同的情况下，数字越小性能越好。
4、时序不同也就是响应时间不同，单位为时钟周期。
5、间距不同C14和C16是卡槽间距不一样。扩展资料：DDR2与DDR的区别：与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。参考资料来源：百度百科-内存条